Um transistor no qual emissor e coletor de barreiras são formadas por junções pn entre regiões de semicondutor do tipo oposto de condutividade. Estas junções são separadas por uma distância consideravelmente menos do que um comprimento de difusão das minorias-transportadora, para que os portadores minoritários injetados na junção emissor não recombine antes de alcançar a barreira de coletor e, portanto, ser eficaz na modulação da impedância de coletor-barreira. Junction transistores são amplamente utilizados como dispositivos discretos e em circuitos integrados. Dispositivos de o discreto são encontrados em aplicações de alta potência e alta freqüência. Gama de transistores junction em avaliação de poder de alguns miliwatts a cerca de 300 W, na freqüência característica de 0,5 a 2000 MHz e em ganhar 10 a 50 dB. Silício é o material semicondutor mais usado, apesar de germânio é usado ainda para alguns aplicativos. Junction transistores são aplicáveis a qualquer amplificação eletrônica, detecção e comutação problema não necessitando de operação acima de 200 ° C (392 ° F), 700 V ou 2000 MHz. não todos estes limites podem ser atingidos por um dispositivo, no entanto. Junction transistores são classificados pelo número e pela ordem das respectivas regiões de tipo de condutividade diferente, pelo método de fabricação e de estrutura e, por vezes, pelo princípio da operação. Transistores mais modernos são fabricados pela técnica da dupla difusão planar self-masked de silício. Técnica de a liga e a técnica de junção crescido são principalmente de importância histórica. Para uma descrição geral e a definição dos termos usados aqui e uma descrição do mecanismo de operação