National Semiconductor Corporation

Industry: Semiconductors

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National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.

在下一次設備故障會預計會發生之前也會通過上班時間後出現故障的設備的平均次數。

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包含兩個或更多的死亡，但沒有薄或厚膜元件在基體上的設備。

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金屬鍍膜形成通過的幾個圖層不同的金屬，該設備的表面上形成一個單一金屬條紋的沉積。

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金屬鍍膜形成通過沉積的金屬與電介質（如 Si02）幾層分離除非互連的水準所需的各個層次。

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在哪個 MOS 電晶體通過橋接擴散兩個相鄰 N 型（源和排水管）用電介質 (門) 形成的 MOS 過程。源和基體都接地和正電壓應用於門，負電荷（N-通道）導電片材時是在表面下電介質基體中創建的。

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中子輻射期間以減少在基體中的少數載流子壽命製造設備的接觸。這期間曝光爆輻射最小化電路閉鎖的概率。

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拉強調的所有設備或設備從給定的多力這是低於最低拉到的樣本上的電線都強制破壞性債券拉申請限制。

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設備採購承建商編寫的規範，而不是編寫規範政府。

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通過放置 N 型發射器和 N 型收集器之間的 P 型基地建造的電晶體。發射器是通常負對基地和收集器是通常正面對基地。

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n 型

在其中的多數載體是電子，因此消極的半導體材料。

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