- Industry: Semiconductors
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National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
不受控制的位置和密度目前在大容量矽的矽片擴散過程之前的隨機雜質。大容量雜質引起關注是因各種氧化層受雇在擴散過程中可導致雜質搬遷和濃度的增長。集中的雜質 （這通常是氧、 碳、 或含硫量） 可以創建不需要寄生或各種類型的潛在缺陷，可能導致過早失效。
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裝置中的應用電氣偏見運作的同時它在高溫 (通常 125 ° C)，通常作為篩選試驗的 100%。標準燒錄在工期為 B 類設備 160 小時，240 小時類 S.本測試旨在到嬰兒死亡率或過度參數漂移"剔除"設備。
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大量的快速劑量率電離輻射 [通常超過 108 輻射 (Si) / 秒] 造成設備閂鎖、 資料打亂，閾值 shift 或其他性能退化。爆裂輻射是通常與核爆有關。
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